1.负责SiC SBD、MOSFET等功率产品的工艺流程设计和开发、流片、测试及可靠性的规划和执行； 2.负责开发及试产阶段产线工艺异常的协调和解决，针对电性、良率、产线异常、质量异常、稽核等问题进行分析和提供解决措施； 3.负责研发项目的实施推进，协调内外部资源进行支持，确保项目及时交付。

1.学历要求：27届应届硕士及博士毕业生（27年7月前毕业）； 2.专业要求：微电子、集成电路、电力电子、半导体材料等相关专业； 3.知识技能：熟悉功率器件结构原理和工艺流程； 4. 其他要求： 1）英语CET-4以上，具备良好的英语听说读写能力，熟练运用office相关软件; 2）有较好的学习能力和分析解决问题的能力，积极主动，责任心强，沟通良好； 3）有半导体相关实习或工作经历优先。