1、负责在研产品和可靠性测试产品的失效分析工作，针对公司产品在研发验证、可靠性试验及客户应用端出现的失效异常，制定分析方案并执行分析流程，定位失效根因； 2、运用半导体失效分析手段开展失效定位与物性表征，通过一系列分析检测手段，综合判断失效模式； 3、针对内���产品典型失效模式，结合产品结构和材料特点以及半导体工艺特征，分析失效机理（如电荷陷获、界面缺陷、掺杂扩散、工艺损伤等）； 4、编制失效分析报告，清晰呈现失效定位过程、根因结论与改善建议，推动研发、工艺、可靠性团队落实改进措施，并跟踪验证效果。

1、硕士及以上学历； 2、微电子、半导体物理、材料科学与工程、电子信息、物理等相关专业； 3、掌握半导体物理、固体物理、材料科学基础等专业知识； 4、了解MOS电容结构与工作原理，熟悉半导体工艺（薄膜沉积、光刻、刻蚀等）基本流程； 5、了解扫描电子显微镜（SEM）、聚焦离子束（FIB）、透射电子显微镜（TEM）等微观分析手段的基本原理与应用场景，了解半导体器件常见失效模式（如介质击穿、漏电、ESD损伤等）基本概念； 6、有半导体器件失效分析相关课题、电子设计竞赛或实习经历者优先，了解硅电容或MOS电容器基本工作原理者优先； 7、具备逻辑思维与问题分析能力，工作细致严谨，具备良好的实验记录与报告撰写习惯，团队协作意识强，善于与研发、工艺、可靠性等多岗位同事协同配合，英文阅读能力良好。