1、涵盖晶圆级可靠性（Wafer-Level Reliability）与封装级可靠性（Package-Level Reliability），制定可靠性测试规范与验证计划，输出可靠性验证报告； 2、依据公司产品材料与结构特性以及典型应用场景（光模块、AI芯片、车规电子等），设计并实施针对不同应力环境（高温、高湿、电压偏置、温度循环等）的加速可靠性试验方案； 3、基于加速寿命试验数据，建立产品在不同应力环境下的寿命模型与退化模型（如TDDB寿命模型、温度-湿度-偏压加速模型等），判定产品工艺敏感点与应用稳健性； 4、协同失效分析工程师、工艺工程师、设计工程师，将可靠性验证结果反馈至产品设计与工艺优化环节，推动产品可靠性持续提升。

1、硕士学历； 2、微电子、半导体物理、材料科学与工程、电子信息、物理、可靠性工程等相关专业； 3、掌握半导体物理、固体物理、材料科学基础等专业知识3.了解MOS电容结构与工作原理，熟悉半导体工艺（薄膜沉积、光刻、刻蚀等）基本流程； 4、了解可靠性物理基本概念与常用加速模型，了解半导体器件常见可靠性失效机理（如TDDB经时介电击穿、HCI热载流子注入、NBTI负偏压温度不稳定性等）； 5、了解晶圆级可靠性测试与封装级可靠性测试的基本方法，了解JEDEC、AEC-Q200等可靠性测试标准者优先； 6、有半导体器件可靠性测试相关课题、实验或实习经历者优先，了解硅电容或MOS电容器基本工作原理者优先； 7、具备数据分析能力，能使用Excel等数据分析工具进行寿命数据处理与模型拟合者优先； 8、具备逻辑思维与系统思考能力，工作严谨细致，具备良好的实验记录与报告撰写习惯；团队协作意识强，善于与失效分析、工艺、设计等多岗位同事协同配合；英文阅读能力良好，能阅读英文技术资料与行业标准。