1、负责半导体芯片制造核心工艺（如刻蚀、镀膜、光刻等）的仿真建模与分析，包括刻蚀剖面演化、薄膜沉积形貌、应力分布、热效应等关键工艺指标的仿真预测，为工艺参数优化提供数据支撑； 2、基于仿真结果，针对气体配比、温度场、功率参数、工艺时序等提出量化优化建议，协同工艺研发团队解决工艺开发中的技术难题，支撑良率提升与工艺窗口扩展； 3、结合工艺实验数据对仿真模型进行校准与迭代，持续提升仿真精度；输出标准化仿真分析报告与工艺设计指南，支持设计评审与量产决策； 4、与器件设计、封装、测试等团队紧密协作，推动设计-工艺协同优化（DTCO）；关注行业前沿仿真技术（如AI辅助仿真、多物理场耦合新方法），参与内部仿真能力建设与技术储备。

1、硕士及以上学历； 2、力学、机械工程、热能工程、工程热物理、材料科学与工程、微电子学、集成电路等相关专业； 3、理论基础：扎实掌握传热学、流体力学或半导体物理等核心理论；了解半导体制造工艺（刻蚀、镀膜、光刻等）的基本流程与工艺窗口者优先； 4、至少精通一款多物理场仿真/半导体工艺与器件仿真工具；半导体工艺方向者优先； 5、了解至少一种开发语言，有工艺数据处理、自动化脚本编写或仿真二次开发经验者优先； 6、具备较强的逻辑分析与自主学习能力，善于将仿真结论转化为可落地的工艺改进方案；具有良好的团队协作与跨部门沟通意识；有工艺仿真或相关课题/竞赛/实习项目经验者优先。