深圳真茂佳半导体
岗位信息
招聘岗位
LVMOS器件研发工程师
工作城市
深圳
学历要求
硕士
是否笔试
未明确
招聘批次
2027届
截止日期
2027-06-30
发布日期
2026-10-19
📋 岗位职责 / 任职要求
岗位职责:1.参与Si LV MOSFET产品(新世代UMOS及SGT 15V~200V)的产品开发;
2.完成器件设计仿真后的DOE验证及Layout;
3.负责工艺平台开发和工程能力提升,满足器件性能、良率、可靠性要求;
4.根据产品部需求定义完成产品开发,并配合产品部完成整个APQP过程。
任职要求:1.硕士学历,微电子、物理、材料等相关专业,有半导体相关实习经验;
2.扎实的半导体物理、器件物理知识,了解功率半导体器件的工艺流程(晶圆、封装);
3.了解半导体器件可靠性、器件模型、设计规则等相关领域知识,了解常见失效模式和机理,能设计可靠性风险评估试验;
4.熟练使用主流TCAD仿真软件(如Sentaurus、Silvaco等)独立进行工艺、器件仿真,了解常见版图设计软件(如Ledit、Virtuoso等);
5.熟练掌握DOE方法,具备使用工具软件分析数据及进行工艺调试或一致性优化的能力。
投递方式
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