岗位职责： 1.开展GaN、AlN、金刚石等宽禁带/超宽禁带半导体射频器件研究，参与半导体基础理论研究，参与射频器件的仿真设计、外延生长、异质键合、结构设计、工艺设计、散热设计、制版流片、封装、测试建模、机理研究、验证评估等； 2.参与半导体器件设计、封装与测试建模研究课题，完成相关任务； 3.根据任务要求，开展相关实验。 岗位要求： 1.取得国内外知名院校博士学位，年龄不超过35周岁（特别优秀者，可适当放宽）； 2.具有所学专业方向扎实的科研基础、优秀的科研能力、强烈的学习愿望； 3.具有本领域半导体材料生长与射频器件设计、制造等相关领域研究经验者优先； 4.具有良好的沟通交流能力和团队协作能力，能够独立开展科研工作。