岗位职责 1. 进行IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体器件及工艺仿真、结构设计、工艺流程制定； 2. 产品开发和项目管理计划制定及实施； 3. 新产品、新技术的跟进和研究。 岗位要求 1. 微电子与固体电子、半导体器件与物理等相关专业，具有扎实的物理基础和半导体器件基础； 2. 硕士应届毕业生，具有功率半导体器件相关课题经验，熟悉MOSFET、IGBT、FRD等功率半导体器件的开发流程； 3. 具有Fab实际经验和上述功率半导体器件的实际开发/生产经验者优先； 4. 熟悉版图设计（Layout Design）和器件仿真（TCAD Simulation）； 5. 具有较强的沟通能力、独立思考能力及团队协作能力； 6. 学习能力较强，具有创新精神。