升宇科技

1. 负责功率半导体器件的结构设计，开展耐压、导通及开关特性优化。 2. 运用TCAD工具完成器件建模、工艺仿真、电学特性仿真及可靠性仿真，输出最优器件结构与工艺参数方案。 3. 依据击穿电压、导通电阻、开关速度、栅电荷（Qg）等关键性能指标，开展器件迭代优化。 4. 承担功率器件版图设计工作，包括元胞布局与终端结构设计，规避可靠性失效风险。 5. 对接晶圆厂开展工艺协同，输出工艺参数、光罩资料及流片SPEC，跟进流片进程，协同解决工艺偏差导致的器件异常问题。 6. 负责流片回片测试、数据分析及失效机理分析，准确定位器件结构、工艺或版图层面问题，推动版本迭代升级。 7. 跟踪第三代半导体新型器件技术发展，开展新技术与新结构预研，并支持产品化落地。

1. 硕士及以上学历，微电子、半导体物理、集成电路、器件工程等相关专业。 2. 具备功率器件设计经验者优先；掌握MOSFET、IGBT或宽禁带半导体器件TCAD仿真及流片经验者优先；优秀应届毕业生可考虑培养。 3. 熟练使用TCAD工具开展器件仿真、工艺仿真、电场与载流子分布分析、可靠性仿真。 4. 掌握功率半导体器件物理原理，理解核心工作机制与性能影响因素。 5. 熟悉半导体晶圆制造主流工艺流程，包括扩散、离子注入、刻蚀、氧化、薄膜沉积等。 6. 具备器件版图设计经验，了解功率器件元胞设计、终端耐压结构设计及版图寄生参数优化者优先。 7. 具备良好的数据分析与问题定位能力，逻辑清晰，能独立承担器件开发项目。