岗位职责： 1.负责 Micro-LED、PD/APD 及其他相关光电器件的电学、光学和高频特性研究，分析器件结构、工艺参数、工作条件与器件性能之间的关系。 2.负责器件级及电路级 Test Key 的规划与设计，建立覆盖器件结构、工艺参数、寄生效应、可靠性及电路应用需求的测试方案。 3.负责器件量测与数据分析，包括但不限于： oDC、I-V、C-V、光电响应等静态特性测试； o高频、小信号、瞬态及噪声特性测试； oS 参数、带宽、响应速度、抖动及眼图等高速或系统级测试； o不同温度、电压、光照、工艺及工作条件下的器件特性分析。 4.负责实验室研发测试机台及量产测试设备的技术评估，制定探针台、源表、参数分析仪、网络分析仪及高速光电测试系统等设备的功能规格和测试方法。 5.基于器件量测数据开展参数提取和 SPICE Compact Model 建立，完成模型校准、Corner 定义和模型验证，并将模型导入电路仿真环境。 6.建立器件量测、器件模型、电路仿真及芯片实测之间的相关性，分析器件特性、寄生参数和工艺波动对电路及系统性能的影响。 7.参与 Micro-LED 微显示像素电路的设计与仿真，包括像素驱动、恒流控制、灰阶调制、器件补偿、参数检测及相关片上测试电路。 8.参与 Micro-LED 光通信通道电路的设计与仿真，包括发射端 Micro-LED 驱动与调制电路，以及接收端 PD/APD 偏置、信号检测、前端放大和通道测试电路。 9.根据像素及通道应用需求，分解器件和电路规格，分析器件模型、寄生参数及工作条件对驱动能力、带宽、噪声、功耗、动态范围和眼图性能的影响。 10.完成相关像素电路和通道电路的原理图设计、前仿真、Corner/Monte Carlo 分析，以及必要的版图后仿真和测试结果回归。 11.开展器件物理和失效机理分析，针对器件性能偏差、模型相关性、电路异常及测试异常提出分析结论和优化建议。 12.根据项目需要开展 TCAD 仿真，对器件结构、电场分布、载流子输运、光生载流子、雪崩倍增及寄生参数等进行分析，指导器件结构、模型和电路设计。 13.与工艺、器件、电路、封装、测试及系统团队协同，支持芯片设计、Tape-out、芯片测试、模型迭代和量产导入。 任职要求： 岗位要求 1.博士学历，电子工程、微电子、集成电路、半导体器件、光电子或相关专业。 2.具备扎实的半导体器件物理基础，熟悉 PN 结、LED、Micro-LED、光电二极管、雪崩光电二极管或其他光电器件的工作原理。 3.熟悉半导体器件测试与参数分析方法，具备 I-V、C-V、高频、小信号、瞬态、噪声或光电特性测试经验。 4.熟悉 SPICE 模型、器件参数提取及模型验证方法，能够分析模型参数与器件结构、工艺及量测结果之间的关系。 5.具备模拟及混合信号电路基础，能够开展像素电路或高速光电通道电路的晶体管级设计与仿真。 6.理解器件特性、寄生参数及工艺波动对电路增益、带宽、噪声、功耗、稳定性和动态范围的影响。 7.熟悉 Cadence Virtuoso、Spectre 或其他模拟电路设计与仿真工具，能够完成原理图设计、Corner 分析和 Monte Carlo 仿真。 8.具备较强的数据分析和自动化能力，能够使用 Python、MATLAB 或其他工具进行测试控制、数据处理、模型拟合和统计分析。 9.具备良好的实验能力、问题分析能力和工程意识，能够独立完成测试方案设计、实验实施、数据分析及结论输出。 10.具备良好的团队合作和沟通能力，能够在器件、工艺、电路、测试及系统等跨职能团队中高效工作。