中电海康集团有限公司

岗位职责： 1.负责原型器件与阈值选通器原型器件的工艺研发，涵盖磁性薄膜沉积、光刻、刻蚀等关键单项工艺，以及器件全流程集成工艺的开发与优化。 2.承担器件电学性能（I-V、C-V、耐久性、保持性）、磁性参数（如磁电阻、交换偏置）及微观形貌结构（SEM、TEM、XRD）的系统测试与表征。 3.独立处理并分析实验数据，建立工艺结构性能关联图谱，为器件改进提供数据驱动决策。 4.紧密协同材料研究、电路设计、仿真模拟及应用团队，推动新型存储材料在晶圆级工艺平台上的快速验证与工程化转化。 岗位要求： 1.硕士以上学历，微电子、材料、物理、化学、集成电路等相关技术等相关专业。 2.具备微纳器件或薄膜材料基础知识，有以下任一研究背景者优先：a）微纳加工设备（如PVD、ICP、CVD等）使用经验；b）阈值选通器或相变存储；c）磁性薄膜/自旋电子学；d）存储器件设计与表征；e）TCAD或工艺仿真。 3.动手能力强，能够独立操作工艺设备和测试仪器，注重实验细节与重复性。 4.熟练使用数据处理与分析软件（如Origin、Python、Matlab等），具备良好的英文文献阅读与技术报告撰写能力。 5.为人正直，态度严谨，具有高度的责任心、主动性和跨团队沟通执行力，对半导体工艺研发有强烈兴趣。