中电海康集团有限公司

岗位职责： 1.参与自旋存储器（MRAM）定制电路模块的规格定义与架构设计，涵盖存储单元、阵列、读写通路、驱动、译码及冗余修复等关键模块； 2.基于自旋器件物理特性，建立器件行为模型，完成电路的前仿、后仿及全定制验证，确保设计满足性能、功耗与良率目标； 3.参与芯片级架构定义，协同系统、数字及工艺团队完成存储单元的集成与优化； 4.指导版图工程师进行高精度版图设计，并独立完成关键模块的版图人工审查，保证版图质量与设计规则一致； 5.参与样片测试方案制定，参与测试数据分析与失效定位，推动设计迭代优化。 岗位要求： 1.硕士及以上学历，微电子及相关专业； 2.深入理解存储器芯片的原理与结构，具有MRAM、DDR4或NOR Flash芯片相关设计经验者优先； 3.熟练使用定制集成电路设计EDA工具（如Cadence Virtuoso、Synopsys Custom Designer等）； 4.了解CMOS集成电路制造工艺，熟悉模拟集成电路及存储器的测试原理与方法； 5.责任心强，善于团队协作，对新兴存储技术有浓厚兴趣；具备良好的逻辑思维能力和问题分析能力，能够独立完成模块级设计任务。