新微半导体

1. 外延工艺开发：负责氮化镓射频器件外延的设计，生长工艺以及参数调试优化。包括MOCVD 设备操作，工艺菜单开发，材料表征，制程管理以及工艺条件改进，提升外延材料性能（如均匀性，缺陷控制等）； 2．技术问题攻关：分析外延生长过程中的技术问题（如位错密度，应力控制等），负责实验设计以及数据统计分析，提出解决方案并推动相关外延导入量产； 3．跨部门协作：直接接触材料和设备供应商，与器件设计，工艺开发团队合作，实现外延材料满足不同应用的射频氮化镓器件性能需求； 4．研发文档与标准制定：编写材料规格书，外延工艺规范，实验报告以及技术专利，参与行业内相关专业领域研讨； 5．新技术探索：保持对宽禁带材料的前沿学习，确保竞争力。

1. 硕士及以上学历，材料科学、物理、微电子、半导体工程等相关专业； 2. 3年以上MOCVD 氮化镓外延生长和相关半导体材料表征和分析经验，熟悉MOCVD外延生长原理及设备操作。 3．掌握材料表征技术（如XRD，SEM，PL等），了解过程控制和SPC 监控方法，能够分析数据以及解决问题； 4．逻辑清晰，具备团队协作和抗压能力，适应快节奏研发环境。